單晶圓清洗設(shè)備工作原理
單晶圓清洗設(shè)備有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力，市場份額相對小。
單晶圓清洗設(shè)備有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力，市場份額相對小。
單晶 圓清洗設(shè)備一般采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式，用化學(xué)噴霧對單晶圓進(jìn)行清洗的設(shè)備，相對自動 清洗臺清洗效率較低，產(chǎn)能較低，但有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力。
可用于多種工藝中，包括擴(kuò)散前清洗、柵極氧化前清洗、外延前清洗、CVD 前清洗、氧化前清洗、光刻膠清除、多晶硅清除等多個清洗環(huán)節(jié)和部分刻蝕環(huán)節(jié)中。
還有另一種單晶圓清洗設(shè)備采取超聲波清洗方式，市場份額相對小
單晶圓清洗設(shè)備與自動清洗臺在應(yīng)用環(huán)節(jié)上沒有較大差異，兩者的主要區(qū)別在于清洗方式和精度上的要求。
簡單而言，單晶圓清洗設(shè)備是逐片清洗，自動清洗臺是多片同時清 洗，所以自動清洗臺的優(yōu)勢在于設(shè)備成熟、產(chǎn)能較高，而單晶圓清洗設(shè)備的優(yōu)勢在于清洗精度高，背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗，同時避免了晶圓片之間的交叉污染。
洗刷器在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。
采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式，但配合機(jī)械擦拭，有高壓和軟噴霧等多種可調(diào)節(jié)模式，用于適合以去離子水清洗的工藝中，包括鋸晶圓、晶 圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD 等環(huán)節(jié)中，尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。
聯(lián)系我們